赤外線加熱単結晶育成装置

SCW1

装置タイプ：モデル名

単結晶育成装置：SCW1　　※海外規格（CE//NFPA79）に対応

反射鏡

双楕円反射鏡

ハロゲンランプ出力

650w×2pcs

最高到達温度

最大2100℃（650/1000W）

結晶育成径

平均φ4　最大φ7.5（TiO2）

下軸ストローク

150mm

上軸ストローク

175mm

結晶育成速度

0.1～40.0mm/hr

主軸駆動

駆動方式	回転（上下軸）：デジタル制御
低速/中速/高速	送り（上下軸）：デジタル制御

雰囲気

最大950kPa

本体寸法

幅1,235mm×奥行1,188mm×高さ1,940mm

重量

約530kg

用力

電力（50/60Hz）	φ3 AC200V 40A（国内販売仕様）
冷却水	約5～8L/min

ランプホルダー調整機構

ステージ＋マイクロメータ

反射鏡開閉方式

左右スライド(リニアモーションベアリング)

コールドトラップ

本体内蔵

制御

PLC

操作方法

タッチパネル（装置固定）

レシピ機能

本体内蔵

ランプ調光

アナログ出力制御

カメラ画像

専用モニタ（カメラモニタ） CCD camera 38M pixel

オプション

画像・動画録画機能

PC接続搭載によりプログラム育成が可能です。

水冷自己循環排熱機能

イオナイザー設置

カメラ画像

CMOS camera with USB3.0 130M pixel